特許
J-GLOBAL ID:200903011825868256
高熱伝導性放熱基板及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
後藤 洋介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-002926
公開番号(公開出願番号):特開平11-204702
出願日: 1998年01月09日
公開日(公表日): 1999年07月30日
要約:
【要約】【課題】 金属基板に搭載する部品が充分密着するための平担性と,搭載する部品の基板における所望の位置を容易に且つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた少なくとも1本の溝を有する高熱伝導性放熱基板とその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体パッケージの金属基板において,高熱伝導性放熱基板1に搭載する部品が充分密着するための平担性と,搭載する部品の基板における所望の位置を容易に且つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた少なくとも1本の溝3を有する。この高熱伝導性放熱基板1は,Cuと残部をMoからなり,Cu粉末とMo粉末を充分混合,焼結,圧延加工により作られ,Cuが37.7〜97質量%で,熱膨張係数が9〜17×10-6/K,熱伝導率が200W/m・K以上有し,前記溝3加工以外に外周プレス加工を同時に施してある。この高熱伝導性放熱基板1において,前記溝3は,V形状断面を備えていることが好ましい。
請求項(抜粋):
半導体パッケージの金属基板において,前記金属基板に搭載する部品が充分密着するための平担性と,搭載する部品の基板における所望の位置を容易に且つ正確に確認できるための役割を兼ね備えた少なくとも1本の溝を有することを特徴とする高熱伝導性放熱基板。
IPC (7件):
H01L 23/36
, B21D 17/02
, B22F 5/00
, H01L 23/14
, C22C 1/04
, C22C 9/00
, C22C 27/04 102
FI (8件):
H01L 23/36 C
, B21D 17/02
, C22C 1/04 A
, C22C 1/04 D
, C22C 9/00
, C22C 27/04 102
, B22F 5/00 Z
, H01L 23/14 M
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