特許

J-GLOBAL ID：200903011833093220

半導体装置およびその作製方法

発明者： 小山 潤 ,  須沢 英臣 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-180942
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032078
出願日： 1994年07月08日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおけるOFF電流の値を小さくする。【構成】 薄膜トランジスタを構成する活性層の側面をレーザー光の照射によってアニールする。活性層の側面には、パターニングの際に生じた欠陥が集中しており、この欠陥に起因するキャリアの移動によって、OFF電流が生じてしまう。そこで、活性層の側面の結晶性を向上させて、欠陥を減少させてやることによって、OFF電流を下げることができる。

請求項（抜粋）：

活性層の周囲端部の結晶性が特に高められていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-099347
  
• 特開平4-290443
  
• 特開昭63-012160
  
• 特開昭62-190878