特許

J-GLOBAL ID：200903011834969600

AlGaInP系半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者： 細田 昌宏 ,  角田 篤勇 ,  高橋 向星 ,  菅 康夫 ,  谷 健太郎
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220626
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063293
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 AlGaInP系の可視光半導体レーザ素子において,屈折率導波構造および電流狭窄構造を1回の結晶成長工程で形成すると共に,素子特性を安定させ,信頼性を向上させる。【構成】 段差を有するp型の基板100上に,AlGaInP混晶系からなる,p型の第1クラッド層102,活性層103,n型の第2クラッド層104,およびn型のコンタクト層105を含む積層構造が形成されている。基板100と第1クラッド層102との間には,クラッド層102より禁制帯幅の小さいp型の中間層101が形成されている。MBE法で結晶成長を行う際には,基板100の主面に対して斜め方向から分子線を照射する。それゆえ,中間層101の層厚は,基板100の主面部ではキャリアのド・ブロイ波長より薄く,基板100の段差部ではキャリアのド・ブロイ波長より厚い。

請求項（抜粋）：

段差を有する第1導電型のGaAs基板上に,AlGaInP混晶系からなる第1導電型の第1クラッド層,活性層,第2導電型の第2クラッド層,および第2導電型のGaAsコンタクト層を含む積層構造が形成されたAlGaInP系半導体レーザ素子であって,第1導電型がp型の場合にはp-GaAs基板とp-AlGaInP第1クラッド層との間に第1クラッド層より禁制帯幅の小さいp-AlGaInP中間層が設けられ,第1導電型がn型の場合にはp-AlGaInP第2クラッド層とp-GaAsコンタクト層との間に第2クラッド層より禁制帯幅の小さいp-AlGaInP中間層が設けられ,その層厚が,基板の主面部ではキャリアのド・ブロイ波長より薄く,基板の段差部ではキャリアのド・ブロイ波長より厚い,AlGaInP系半導体レーザ素子。