特許

J-GLOBAL ID：200903011835291569

電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 西 川 幸 江 ,  芦 沢 康 夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182259
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021897
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ゲート-ドレイン耐圧の確保と寄生抵抗となるソース抵抗の低減を両立させ、素子特性と信頼性を向上させる。【解決手段】 半絶縁性半導体基板101上のチャネル層103上に形成されたショットキーコンタクト層106と、ショットキーコンタクト層上に選択的に形成されたオーミックコンタクト層107と、ショットキーコンタクト層のオーミックコンタクト層が形成されない領域上に形成されたゲート電極108と、オーミックコンタクト層上に形成されたドレイン電極109/ソース電極110を備え、ショットキーコンタクト層が少なくともIn,Ga,Pを含む化合物半導体層により形成され、ショットキーコンタクト層におけるゲート電極下側領域111の化合物半導体を秩序構造を持たない結晶構造とし他の領域の化合物半導体を秩序構造を有する結晶構造として、ゲート電極下側領域に他の領域よりも大きいバンドギャップエネルギを持たせるようにした。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板上のチャネル層上に形成されたショットキーコンタクト層と、このショットキーコンタクト層上に選択的に形成されたオーミックコンタクト層と、前記ショットキーコンタクト層の前記オーミックコンタクト層が形成されていない領域上に形成されたゲート電極と、前記オーミックコンタクト層上に形成されたドレイン電極およびソース電極と、を備え、前記ショットキーコンタクト層が少なくともIn,Ga,Pを含む化合物半導体層により形成されると共に、前記ショットキーコンタクト層における前記ゲート電極の下側領域の前記化合物半導体が秩序構造のない結晶構造となっていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/778

FI (3件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H

Fターム (40件)：

5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045CA06 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045DB04 ,  5F045EK12 ,  5F045EK17 ,  5F045EK20 ,  5F045HA15 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GM06 ,  5F102GM10 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR03 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT05 ,  5F102GT06 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC22