特許
J-GLOBAL ID：200903011839681868

半導体記憶装置及びその制御方法

発明者：
田中 義幸

田中 義幸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-338551
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108304
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】半導体記憶装置の不揮発性メモリに対するデータの書換えなどの処理効率を向上させる。【解決手段】半導体記憶装置は、フラッシュメモリ1,2と、これらフラッシュメモリ1,2とは種類の異なるMRAM5とを有する。コントローラ3は、書き込み要求されたデータがファイルの管理データに該当するものであるかユーザデータに該当するものであるかを判定する。管理データに該当する場合は、当該データをMRAM5に書き込み、ユーザデータに該当する場合は、当該データをフラッシュメモリ1,2に書き込む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ファイルのユーザデータを記憶するための第1の不揮発性メモリと、 ファイルの管理データを記憶するための、前記第1の不揮発性メモリとは種類の異なる第2の不揮発性メモリと、 前記第1の不揮発性メモリ及び前記第2の不揮発性メモリに対するデータの読み書きを制御する制御手段と、 を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C16/06 ,  G11C11/15 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04
FI (4件)：
G11C17/00 631 ,  G11C11/15 140 ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 601E
Fターム (6件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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