特許

J-GLOBAL ID：200903011839891927

半導体装置の製造方法

発明者： 服部 弘美 ,  山崎 治 ,  福島 信教
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017970
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218035
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【構成】 Si基板1上のSiO2膜(BPSG)2上にスパッタリング法で厚さ100nmのRuO2膜4を形成した後、スパッタリング法で厚さ300nmのCu膜3を堆積し、次に、スパッタリング法で厚さ100nmのRuO2膜4を形成する。続いて、この積層膜(RuO2膜-Cu膜-RuO2膜)をパターニングして配線を形成する。【効果】 SiO2中へのCuの拡散が抑制でき、密着性が向上し、高信頼性、かつ低抵抗配線が形成できる。

請求項（抜粋）：

Cu配線のバリアメタルとしてRuO2をCuの下にスパッタリング法またはCVD法により堆積し、配線を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  C01G 55/00 ,  C23C 14/16 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/28 301