酸窒化膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046902
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237430
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】基板温度が600°C以下の低温プロセスにおいて、ホットキャリア耐性に優れたゲート絶縁膜を形成すること、および基板温度を低温に保ったまま、高スループットで性能の優れた信頼性が高い薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】シリコンを含む半導体薄膜またはゲート絶縁膜に酸素イオンおよび窒素イオンを添加した後、熱処理することにより、基板温度が600°C以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜の結晶化または再結晶化と共に酸窒化膜を形成することにより、高スループットで、ホットキャリア耐性に優れた、界面状態が良い薄膜トランジスタを提供する。

請求項（抜粋）：

シリコンを含む半導体薄膜に、少なくとも窒素イオンおよび酸素イオンを含む物質を添加し、前記シリコンを含む半導体薄膜を結晶化または再結晶化すると共に酸窒化膜を形成する工程を含むことを特徴とする酸窒化膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/318 C , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 627 G

Fターム (72件)：

5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BA02 , 5F052BB01 , 5F052BB07 , 5F052CA02 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052FA05 , 5F052FA06 , 5F052JA01 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BB07 , 5F058BC11 , 5F058BE07 , 5F058BF62 , 5F058BF64 , 5F058BF77 , 5F058BH01 , 5F058BJ10 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF21 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP26 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

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