特許

J-GLOBAL ID：200903011841416454

絶縁ゲ-ト型半導体装置及びその製法

発明者： 石山 俊彦 ,  松本 聡 ,  谷内 利明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003361
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208757
出願日： 1999年01月08日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上にドレイン領域としての半導体層が形成され、その半導体層内にその上面側からチャンネル形成用領域が形成され、そのチャンネル形成用領域内に上面側から電極連結用領域及びソース領域が形成され、またチャンネル形成用領域上にゲート絶縁層を介してゲート電極層が形成され、電極連結用領域及びソース領域にソース電極層が連結され、半導体基板にドレイン電極層が連結されている絶縁ゲート型半導体装置において、ドレイン領域としての半導体層の比抵抗を低くして、スイッチング素子としての機能が高速に得られ且つドレイン領域としての半導体層において電力損失をほとんど伴わないようにする。【解決手段】 ドレイン領域としての半導体層内に、半導体基板に連結している導電性層を埋設している絶縁層を、半導体基板及びチャンネル形成用領域間にそれらと接した態様で延長形成する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有し且つ低い比抵抗を有する半導体基板と、その主面上に形成され、且つ第1の導電型を有し且つ上記半導体基板に比し高い比抵抗を有する、ドレイン領域としての半導体層とを有し、上記半導体層内に、上記半導体基板側とは反対側の面側から、第1の導電型とは反対の第2の導電型を有する第1の半導体領域が、チャンネル形成用領域として形成され、上記第1の半導体領域内に、上記半導体基板側とは反対側の面側から、第2の導電型を有し且つ当該第1の半導体領域に比し低い比抵抗を有する第2の半導体領域が、電極連結用領域として形成されているとともに、第1の導電型を有する第3の半導体領域が、ソース領域として形成され、上記第1の半導体領域の上記半導体基板側とは反対側の主面上に、ゲート絶縁層を介して、ゲート電極層が形成され、上記第2及び第3の半導体領域に、上記半導体基板側とは反対側において、ソース電極層が、オーミックに連結され、上記半導体基板に、上記半導体層側とは反対側において、ドレイン電極層が、オーミックに連結されている絶縁ゲート型半導体装置において、上記半導体層内に、上記半導体基板に連結している導電性層を埋設している絶縁層が、上記半導体基板及び上記第1の半導体領域間にそれらと接した態様で延長して形成されていることを特徴とする縦形絶縁ゲート半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 658 Z

Fターム (4件)：

5F040DA01 ,  5F040DA22 ,  5F040EB01 ,  5F040EB13