特許

J-GLOBAL ID：200903011841951074

MESFETの熱抵抗測定方法

発明者： 須藤 和雄 ,  中村 浩
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011881
公開番号（公開出願番号）：特開平5-203698
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：

【要約】【目的】 チャネル温度の低下による温度補正をすることなく、正確な熱抵抗値を算出する。【構成】 一定微小電流の連続パルスIG をMESFET1のゲート・ソース間に印加すると同時にそのゲート・ソース間電圧VGS1を測定する。連続パルスIG を印加しつつ、電圧源43によってMESFET1に一定時間、ドレイン電圧を印加してチャネル温度を上昇させ、該ドレイン電圧の印加終了直後におけるゲート・ソース間電圧VGS2を測定する。そして、電圧差VGS1-VGS2と、予め求めておいたMESFET1の温度係数と、印加電力とを用いて、MESFET1の熱抵抗値を算出する。

請求項（抜粋）：

測定対象となるMESFETのチャネル温度上昇が無視できる程度の一定微小電流の連続パルスを該MESFETのゲート・ケース間に印加すると同時にそのゲート・ソース間電圧VGS1を測定し、前記連続パルスを印加しつつ、前記MESFETに一定時間ドレイン電圧を印加してチャネル温度を上昇させ、該ドレイン電圧の印加終了直後における前記ゲート・ソース間電圧VGS2を測定し、前記ゲート・ソース間電圧VGS1,VGS2の電圧差VGS1-VGS2と、前記MESFETのチャネル温度に対するゲート・ソース間電圧比からなる温度係数と、前記ドレイン電圧印加時の印加電力とを用いて、前記MESFETの熱抵抗を求めることを特徴とするMESFETの熱抵抗測定方法。