半導体素子の駆動回路およびそれを用いた電力変換装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-061193
公開番号（公開出願番号）：特開平11-262242
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】電流制限に伴なう過電圧に対して、電流制限回路の負担を増やすことなく良好に保護を行なうこと。【解決手段】少なくともコレクタ端子Cとエミッタ端子Eとゲート端子Gと半導体素子1本体に流れる電流の大きさに依存する信号を出力するセンス端子Sとを備えた半導体素子1に接続して用いられ、センス端子Sからの出力信号に基づいて半導体素子1本体に流れる電流を所定の電流制限値で制限する電流制限付き駆動回路において、コレクタ端子Cとエミッタ端子Eとの間に接続され、当該各端子間の電圧が半導体素子1本体の耐圧を考慮した任意の第1の電圧以上になると動作する第1の過電圧検出手段10と、第1の過電圧検出手段10の動作により、電流制限値を上昇させる電流制限緩和手段14とを備える。

請求項（抜粋）：

少なくともコレクタ端子とエミッタ端子とゲート端子と半導体素子本体に流れる電流の大きさに依存する信号を出力するセンス端子とを備えた半導体素子に接続して用いられ、前記センス端子からの出力信号に基づいて前記半導体素子本体に流れる電流を所定の電流制限値で制限する電流制限付き駆動回路において、前記コレクタ端子とエミッタ端子との間に接続され、当該各端子間の電圧が前記半導体素子本体の耐圧を考慮した任意の第1の電圧以上になると動作する第1の過電圧検出手段と、前記第1の過電圧検出手段の動作により、前記電流制限値を上昇させる電流制限緩和手段と、を備えて成ることを特徴とする半導体素子の駆動回路。

IPC (4件)：

H02M 1/08 , H02M 1/08 351 , H02M 7/48 , H02M 7/5387

FI (5件)：

H02M 1/08 A , H02M 1/08 351 A , H02M 7/48 M , H02M 7/48 Q , H02M 7/5387 Z

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