特許
J-GLOBAL ID：200903011844813128
チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121289
公開番号（公開出願番号）：特開平9-301798
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月25日
要約：
【要約】【課題】 半導体メモリーや圧電素子に用いるPZT薄膜を大面積に高堆積速度で製造することができる強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 PZT薄膜を構成する元素を含む化合物の蒸気を原料ガスとし、反応ガスとしての酸素との混合ガスをプラズマ7中で分解および化学反応させ、下地基板3上にPZT薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
鉛を含む化合物とチタンを含む化合物とジルコンを含む化合物の混合蒸気を原料ガスとし、排気手段を有する反応チャンバー内に設けた基板ホルダーと電極との間に、前記基板ホルダーに対して所定の傾斜角を持たせて配置した原料ガス供給手段によって、前記原料ガスとキャリアガスおよび反応ガスを導入し、前記基板ホルダーと電極の間に電力を供給してプラズマを発生させ、前記基板ホルダーに保持した所定温度の基板上に酸化物薄膜を形成することを特徴とするチタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/32
, C23C 16/40
, C30B 25/14
, H01B 3/00
, H01B 3/12 301
C30B 29/32 Z
, C23C 16/40
, C30B 25/14
, H01B 3/00 F
, H01B 3/12 301
