特許

J-GLOBAL ID：200903011845897740

I/F基板

発明者： 酒井 巌
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146265
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315415
出願日： 1992年05月12日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 正面方式と背面方式の両方に兼用できるI/F基板を得る。【構成】 正面方式用ICソケット8aのICのグランドピン7につながるフットパターン9aが挿入されるスルーホール5aの周囲部と、背面方式用ICソケット8bのICのグランドピン7につながるフットパターン9bが挿入されるスルーホール5bの周囲部とに、グランドベタ面3から遊離した状態でグランド強化パターン1a,1bを形成する。

請求項（抜粋）：

パッケージで封止されたICの電気的特性を測定する際、該ICパッケージを収容するICソケットが基板の第1の主面に搭載され、該ICソケットの上記ICパッケージのグランドピンに導通するフットパターンを、その基板内の所定位置に形成したスルーホールに挿入して、基板の第1或いは第2の主面に敷設されたグランドベタ面に半田付けによって接続して、上記グランドピンのグランド強化を行うI/F基板であって、上記ICパッケージを上記ICソケット内に上記グランドピンが下方を向くように収容させる正面方式と、上記ICパッケージを上記ICソケット内に上記グランドピンが上方を向くように収容させる背面方式との両方式に適用できるよう、上記正面方式で使用するICソケットの上記ICパッケージのグランドピンに導通するフットパターンが挿入されるスルーホールと、上記背面方式で使用するICソケットの上記ICパッケージのグランドピンに導通するフットパターンが挿入されるスルーホールの上記第1或いは第2の主面の周囲部に、上記グランドベタ面から遊離したグランド強化パターンを形成してなることを特徴とするI/F基板。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/32

FI (2件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 H