特許
J-GLOBAL ID：200903011846364983
超電導デバイスおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150557
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343754
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 酸化物超電導体を用いて超電導デバイスを作製するに際し、能動素子や配線部分等における酸化物超電導体の特性を十分に発揮させた上で、受動素子や常伝導回路との接続配線等となる金属導電層と酸化物超電導体とを強固に接続することを可能にした超電導デバイスを提供する。【構成】 化学量論的に適正な組成比を有する酸化物超電導体層2と、この酸化物超電導体層2に接続された金属導電層5とを具備する超電導デバイスである。酸化物超電導体層2の金属導電層5との接続面近傍6には、金属元素の析出物が存在している。金属析出物は、化学量論的に適正な組成比を有する酸化物超電導体層2の一部に選択的に金属元素を導入した後、該金属元素を析出させることにより形成する。
請求項（抜粋）：
化学量論的に適正な組成比を有する酸化物超電導体層と、この酸化物超電導体層に接続された金属導電層とを具備する超電導デバイスにおいて、前記酸化物超電導体層の前記金属導電層との接続面近傍に、金属元素の析出物が存在していることを特徴とする超電導デバイス。
引用特許：
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