特許

J-GLOBAL ID：200903011848713594

不揮発性メモリの製造方法

発明者： 杉山 寿伸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-093153
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302851
出願日： 1994年05月02日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】 メモリセル間でデータ書き込み・消去時間にばらつきのないフラッシュEEPROMの製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板11の表面を、RCA洗浄した後、1%H2O2添加した0.1%HFで処理し、シリコン基板11表面の微細な突起部11Aを除去して平坦化させる。その後、ドライO2酸化を行ってトンネル酸化膜12を形成する。この表面処理を行ったことにより、トンネル酸化膜12とシリコン基板11との界面は、平坦な面となり電界集中が起こる突起部の発生を防止することが可能となる。このため、メモリセル間でデータ書き込み・消去時間のばらつきのないフラッシュEEPROMを実現することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1ゲート酸化膜を形成し、該第1ゲート酸化膜上に浮遊ゲートを形成し、該浮遊ゲート上に第2ゲート酸化膜を介してコントロールゲートを形成する不揮発性メモリの製造方法において、前記半導体基板表面にRCA洗浄処理を施し、次いで過酸化水素を添加したフッ酸で処理を施した後に、前記第1ゲート酸化膜を形成することを特徴とする不揮発性メモリの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434