特許
J-GLOBAL ID:200903011849776280

人工格子薄膜磁気センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-157763
公開番号(公開出願番号):特開平8-032141
出願日: 1994年07月11日
公開日(公表日): 1996年02月02日
要約:
【要約】【目的】 従来にくらべ、磁気抵抗変化率の大きい磁気センサを提供する。【構成】 磁化された物体からの磁気信号を電気信号に変換して物体の運動状態を検出する領域が、磁性材料の超薄膜からなる第1および第2の磁性層とその間に形成された非磁性材料の超薄膜からなる中間非磁性層とを含む積層構造からなる。特に、第1および第2の磁性層の膜厚が、3nm以上、10nm以下であり、中間非磁性層の膜厚が、3nm以上となっている。具体的な積層構造として、第1および第2の磁性層には一原子層毎に積層したニッケル(Ni)、鉄(Fe)、あるいはNiFe合金層を、また非磁性層には13層原子以上に積層された銀(Ag)が用いられる。
請求項(抜粋):
磁化された物体からの磁気信号を電気信号に変換して、前記物体の運動状態を検出する磁気センサにおいて、前記磁気信号を電気信号に変換する領域が、磁性材料からなる第1の磁性層と、磁性材料の超薄膜からなる第2の磁性層と、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層の間に形成された、非磁性材料からなる中間非磁性層とを含む積層構造であることを特徴とする磁気センサ。
IPC (3件):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平3-156391
  • 磁気抵抗効果素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-275354   出願人:財団法人生産開発科学研究所

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