特許

J-GLOBAL ID：200903011850318775

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 吉田 誠 ,  熊内 隆宏 ,  只木 ▲芳▼▲隆▼ ,  梶谷 一彦 ,  青木 英雄 ,  浅野 勇
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137957
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321247
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 MISFETを有する半導体集積回路装置の製造プロセスにおける熱処理工程を低減する。【解決手段】 MISFETを形成した後の工程で半導体基板上に堆積するすべての導電膜を500°C以下の温度で堆積する。また、MISFETを形成した後の工程で半導体基板上に堆積するすべての絶縁膜を500°C以下の温度で堆積する。

請求項（抜粋）：

MISFETを有する半導体集積回路装置の製造方法であって、MISFETを形成した後の工程で半導体基板上に堆積するすべての導電膜を500°C以下の温度で堆積することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (6件)：

H01L 27/10 681 F ,  H01L 21/28 Z ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/08 321 K ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 681 B