特許
J-GLOBAL ID：200903011851773450
マイクロサイズ・パターンを特徴づけるための方法および配列
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-027567
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255751
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【課題】 本発明は下の層の上に置かれたパターン化された材料の図案を特徴づけるための方法および装置を開示する。【解決手段】 上記の方法によれば、パターン化された材料が、パターン化された材料が下の層より多くの光を吸収し、下の層がパターン化された材料より多くの光を反射するような範囲の波長を含む光で照射される。零に近い反射光が測定され、反射率の測定値が反射光の波長の関数としての反射光の強度のスペクトルとして、または波長の範囲の平均反射率として表される。反射率の測定値は、パターン化された材料の図案と相互に関連づけることができる。装置の配列は、上記の方法によるパターン化された材料の図案を特徴づけるために開示される。
請求項（抜粋）：
下の層の上に置かれた、フォトレジストのパターン化された層をを持っている配列を特徴づけるための方法であって、フォトレジストのパターン化された層がマイクロサイズの第一の図案を持ち、(a)フォトレジストのパターン化された層が、下の層より多くの光を吸収し、下の層がフォトレジストのパターン化された層より多くの光を反射するような範囲の波長を持つ光で上記配列を照射し、更にフォトレジストのパターン化された層の第一の図案を測定するのに適している範囲の波長を特徴とするステップと、(b)配列からの零に近い反射光を測定するステップと、(c)零に近い反射光の量を反射率の測定値として表すステップと、(d)その配列の反射率の測定値を、それぞれが下の層の上に置かれたフォトレジストのパターン化された層を持っている、複数の基準配列のために得られた反射率の測定値と比較する方法であって、その場合、フォトレジストの各パターン化された層が第一の図案を持っているステップとを含む方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 574
