特許
J-GLOBAL ID：200903011854469549
半導体基板表面処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190464
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036598
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】HMDS処理後の半導体基板に有機物が残存しないようにすることによって、ホトレジストと半導体基板の間の密着性を向上させる。【構成】半導体基板2にホトレジストを塗布する前に、HMDSを含有した窒素ガスを吹き出し板8から供給してHMDS処理を行うユニットBを備えた半導体基板表面処理装置において、ユニットBでHMDS処理を行なう前に半導体基板2をスピンチャック4に載せ、回転させながら滴下ノズル1からアルカリ溶液を半導体基板2上へ滴下するユニットAを設けている。
請求項（抜粋）：
半導体基板にホトレジストを塗布する前に、HMDSを含有した窒素ガス雰囲気でHMDS処理を行うユニットを備えた半導体基板表面処理装置において、前記HMDS処理を行う前に、半導体基板表面にアルカリ溶液を滴下するためのユニットを設けたことを特徴とする半導体基板表面処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, B05C 9/10
, B05C 11/08
, G03F 7/16
H01L 21/30 361 A
, H01L 21/30 361 C
