荷電粒子ビーム露光装置及びその制御方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317106
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163378
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は荷電粒子ビーム露光装置の改善に関し、微分ピーク法又は微分ピーク位置検出方法による位置合わせ方法に依存することなく、荷電粒子ビームの断面形状を工夫して、被照射対象のドット又はライン上に当該荷電粒子ビームを偏向走査して位置ずれ量を精度良く算出し、高精度な描画処理を行うこと、及び、ブロックマスクパターンの異常検出をすることを目的とする。【構成】荷電粒子発生源11,偏向手段12,検出手段13,移動手段14,ビーム成形手段16,記憶手段17及び制御手段15を具備し、制御手段15が、少なくとも、断面が所定形状に成形された荷電粒子ビーム11Aに係る反射電子検出に基づいて得られる位置検出データD1と、予め定義された比較基準データD2とに基づいて位置ずれ量εを算出し、該位置ずれ量εに基づいて位置合わせ制御をすることを含み構成する。

請求項（抜粋）：

被照射対象(18)に荷電粒子ビーム(11A)を照射する荷電粒子発生源(11)と、前記荷電粒子ビーム(11A)を偏向する偏向手段(12)と、前記被照射対象(18)からの反射電子(11B)を検出する検出手段(13)と、前記被照射対象(18)を移動する移動手段(14)と、前記荷電粒子ビーム(11A)の断面形状を成形するブロックマスクパターンから成るビーム成形手段(16)と、前記位置検出データ(D1),比較基準データ(D2)や形状データ(D3)を記憶する記憶手段(17)と、前記荷電粒子発生源(11),偏向手段(12),検出手段(13),移動手段(14)及び記憶手段(17)の入出力を制御する制御手段(15)とを具備し、前記制御手段(15)が、偏向手段(12)によって偏向された荷電粒子ビーム(11A)であって、該荷電粒子ビーム(11A)により被照射対象(18)に照射された位置における反射電子検出によって得られる位置検出データ(D1)と、前記荷電粒子ビーム(11A)の断面形状を成形するブロックマスクパターンの形状データ(D3)から数値計算によって得られる比較基準データ(D2)とに基づいて位置ずれ量(ε)を算出し、該位置ずれ量(ε)に基づいて位置合わせ制御をすることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。

IPC (7件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504 , G03F 7/20 506 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 , G21K 5/04 , H01J 37/305

FI (2件)：

H01L 21/30 341 D , H01L 21/30 351

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-071219
特開平2-268372
特開平4-071219

全件表示

前のページに戻る