ツェナーダイオードの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-201850
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064843
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、ツェナー電圧が1〜2V程度となるツェナーダイオードの製造方法を提供することにある。【構成】本発明のツェナーダイオード製造方法は、一導電型の半導体基板1上に前記半導体基板1と不純物濃度が同程度の一導電型のエピタキシャル層7を形成する工程と、前記エピタキシャル層7の表面に設けた絶縁膜6に開口部10を形成する工程と、前記開口部10に他導電型の不純物を添加した多結晶シリコン膜8を堆積した後、前記多結晶シリコン膜8中の前記不純物を前記エピタキシャル層7内に拡散させ他導電型の拡散領域2を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜8上及び半導体基板1の裏面に電極4,5を被着する工程を具備することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板上に前記半導体基板と不純物濃度が同程度の一導電型のエピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル層の表面に設けた絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部に他導電型の不純物を添加した多結晶シリコン膜を堆積した後、前記多結晶シリコン膜中の前記不純物を前記エピタキシャル層内に拡散させ他導電型の拡散領域を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上及び半導体基板の裏面に電極を被着する工程を具備することを特徴とするツェナーダイオードの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-373179
特開昭52-043383
特開平2-278881

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