特許
J-GLOBAL ID:200903011866131284
半導体集積回路装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
児玉 俊英 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-269677
公開番号(公開出願番号):特開2003-077868
出願日: 2001年09月06日
公開日(公表日): 2003年03月14日
要約:
【要約】【課題】 厚さ100μm以下のウエハを用いた半導体集積回路の製造方法において、ウエハまたはチップ部品に割れや欠けが生じないようにする。【解決手段】 厚さ100μm以下のウエハ1の裏面と表面に、UV硬化型樹脂2を塗布した伸展性シート3と、表面に熱硬化型樹脂4を塗布したダイシングシート5を貼り合わせて均一に加圧し、ダイシングブレード6により、チップ部品1aを分離し、UV光線を照射してUV硬化型樹脂2の接着性を低下させ、突き上げ手段7によって伸展性シート3からチップ部品1aを剥離し、チップ部品1aを吸着手段8により吸着し、加熱手段7上に載置したリードフレームのダイスパッド11の面に接着剤9を介して一定の時間押し付け、チップ部品1aをダイボンドすると共に、熱硬化型樹脂4の接着性を低下させ、ダイシングシート5をチップ部品1aの表面から剥離する。
請求項(抜粋):
表面に多数の機能素子が形成された厚さ100μm以下のウエハの裏面に、UV硬化型樹脂を塗布した伸展性のシートのUV硬化型樹脂塗布面を貼り合わせる工程、上記ウエハの表面に熱硬化型樹脂を塗布したダイシングシートの熱硬化型樹脂塗布面を貼り合わせ、上記ダイシングシートの表面を均一に加圧する工程、ダイシングにより、上記ダイシングシートの表面から上記ウエハの裏面に至る切り込みをいれて上記多数の機能素子毎に分離したチップ部品を形成する工程、上記UV硬化型樹脂にUV光線を照射して硬化させ、該UV硬化型樹脂の接着性を低下させる工程、上記伸展性シートを突き上げ手段によって突き上げて上記チップ部品を吸着手段により吸着することにより上記伸展性シートから上記チップ部品を剥離する工程、上記吸着手段により吸着したチップ部品の裏面を、加熱手段上に載置したリードフレームのダイスパッドの面に、加熱によって接着性を発現する接着剤を介して一定の時間押し付け、該接着剤により上記チップ部品を上記ダイスパッドの面に接着すると共に、上記熱硬化型樹脂を硬化させることによって該熱硬化型樹脂の接着性を低下させ、上記吸着手段により、上記ダイシングシートを上記チップ部品の表面から剥離する工程を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L 21/68 E
, H01L 21/68 N
, H01L 21/78 Q
Fターム (7件):
5F031CA02
, 5F031CA13
, 5F031DA15
, 5F031GA23
, 5F031MA34
, 5F031MA37
, 5F031MA39
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