特許

J-GLOBAL ID：200903011866631260

2次元電子ガス半導体装置の製造方法

発明者： 瀬戸 弘之
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186023
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005635
出願日： 1992年06月18日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 リーク電流を小さくし、耐圧を向上させると共に細線と絶縁膜の間の界面準位を減少させて細線の電気的な特性の不均一を小さくする。【構成】 RIE法により2次元電子ガス層5よりも深くエッチングして多数の細線7を形成する。ついで、RIE法による加工ダメージ層の除去を目的として、燐酸、過酸化水素、水からなるエッチャントを用いてウエットエッチングを行なう。この後、硫化アンモニウム飽和溶液中に上記ウエハを3時間浸漬して表面処理する。ついで、細線7の側壁面に絶縁膜10を形成する。この後、絶縁膜10の上から、Ti/Pt/Auよりなるショットキーゲート電極11を形成する。

請求項（抜粋）：

2次元電子ガス層により形成されたチャネル部分にドライエッチング法とウエットエッチング法を併用してエッチングを施すことによって当該チャネル部分を細線構造とし、ついで、当該エッチング部分に硫化アンモニウムにて表面処理を施した後、前記細線の側壁面に絶縁膜を被着させ、ついで、前記細線構造のチャネル部分の上にショットキー電極を形成することを特徴とする2次元電子ガス半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F