特許

J-GLOBAL ID：200903011867538280

絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 松本 聡 ,  酒井 達郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236819
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068675
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高速化と動作安定化を図る。【解決手段】 SOI方式の絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、ソース領域5の外側にソース電極14とオーミック接触する高濃度p型の第1ボディコンタクト領域6を形成し、かつソース電極5とショットキー接触する低濃度p型の第2ボディコンタクト領域7をソース領域5を複数に分割するよう形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン半導体基板上に第1の絶縁膜を介して単結晶シリコン半導体層を有する積層構造の半導体基板を具備し、前記単結晶シリコン半導体層内に第1導電型のチャネル領域、該チャネル領域と連続する前記第1の導電型と反対の第2導電型のソース領域、前記チャネル領域に連続して前記ソース領域と反対側に位置し前記第2導電型で前記ソース領域に比べて低濃度のドレインオフセット領域、および該ドレインオフセット領域に連続して該ドレインオフセット領域に比べ高濃度の第2導電型のドレイン領域を有し、かつ少なくとも前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、前記ソース領域にソース電極が形成され、前記ドレイン領域にドレイン電極が形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極とオーミック接触する高濃度で第1導電型の第1ボディコンタクト領域を前記チャネル領域に連続させて前記ソース領域の外側に設け、かつ前記ソース電極とショットキー接触する低濃度で第1導電型の第2ボディコンタクト領域を前記チャネル領域と前記ソース領域に連続させると共に前記ソース領域を複数に分割するよう設けたことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 A

Fターム (20件)：

5F110AA02 ,  5F110AA15 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK03 ,  5F110HL03 ,  5F110HM14 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110QQ11