特許

J-GLOBAL ID：200903011871954566

半導体膜のレーザーアニール方法

発明者： 尾方 謙秀 ,  脇田 賢 ,  米田 清 ,  森本 佳宏 ,  山田 努 ,  今尾 和博 ,  桑原 隆
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-039684
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313726
出願日： 1996年08月19日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 p-SiTFTLCDのp-Siを形成するエキシマレーザーアニール(ELA)において、結晶性の良好なp-Siを得るためのELAを提供する。【解決手段】 レーザービームの走査進行方向において、ビームプロファイルの比較的前方においてグレインサイズを最大にする閾値エネルギーEthを越えるエネルギー領域を有し、且つ、十分後方において閾値エネルギーを越えないエネルギー領域を有する。ビームが進行するに従って照射エネルギーが閾値Ethエネルギーより上から下へと移行していき、その過程で閾値エネルギー直下のグレインサイズを十分に大きくするエネルギー領域において最良のアニールが行われる。

請求項（抜粋）：

基板上の半導体膜にレーザービームを照射して膜質を改良する半導体膜のレーザーアニール方法において、レーザービームの被照射領域における位置に関するエネルギーの変化は、レーザービームが走査される進行方向における比較的前方位置よりも比較的後方位置でより小さくされ、前記レーザービームの前記前方位置で大きな粒径を有するグレインを形成し、前記前方位置におけるレーザーエネルギーのばらつきによって生じる微結晶領域を、前記レーザービームの前記後方位置で結晶化することを特徴とする半導体膜のレーザーアニール方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (32件)：

2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA07 ,  5F052AA02 ,  5F052BA01 ,  5F052BA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110DD02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06