特許
J-GLOBAL ID:200903011879000162
線状レーザビーム光学系
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
光石 俊郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-060454
公開番号(公開出願番号):特開平10-258383
出願日: 1997年03月14日
公開日(公表日): 1998年09月29日
要約:
【要約】【課題】 非晶質シリコン太陽電池等の被加工物に対して均一な加工を行うことができ、また加工速度を高めることができる線状レーザビーム光学系を提供する。【解決手段】 1本のレーザビーム21をミラーM1,M2,M3,M4,M5により4本のビームに分割して、一列の並列ビーム22,23,24,25を得る手段(イ)と、集光レンズL1,L2,L3,L4によって並列ビーム22,23,24,25をそれぞれ集光する手段(ロ)と、この手段(ロ)を通過したビームをカライドスコープCによって多重反射させ、且つ1本の線状ビーム26に合成する手段(ハ)と、線状ビーム26を縮小結像光学系L5により被加工物28の表面に縮小結像する手段(ニ)とによって線状レーザビーム光学系を構成する。
請求項(抜粋):
1本のレーザビームを複数本のビームに分割して、一列の並列ビームを得る手段と、前記並列ビームを集光する手段と、この手段を通過したビームを多重反射させ、且つ1本の線状ビームに合成する手段と、前記線状ビームを縮小結像する手段とを有することを特徴とする線状レーザビーム光学系。
IPC (5件):
B23K 26/06
, B23K 26/00
, H01L 21/268
, H01L 21/302
, H01L 31/04
FI (5件):
B23K 26/06 E
, B23K 26/00 D
, H01L 21/268 J
, H01L 21/302 Z
, H01L 31/04 S
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