特許

J-GLOBAL ID：200903011883664415

容量装置およびその製造方法

発明者： 嶋田 恭博 ,  松田 明浩 ,  那須 徹 ,  木部 真樹 ,  藤井 英治
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-153256
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343254
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 容量装置のリーク電流を減少させ絶縁破壊電圧を高くする。【構成】 支持基板1の一主面に形成した第1のTiN膜2と、その上に形成した(BaxSr1-x)TiO3 膜3と、その上に第1のTiN膜2と接触することなく形成された第2のTiN膜6とからなり、(BaxSr1-x)TiO3 膜3と第1のTiN膜2との界面および第2のTiN膜6との界面のいずれか一方に非晶質層5が形成されている。

請求項（抜粋）：

支持基板の一主面に形成した第1の金属膜と、前記第1の金属膜の上に形成した強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜の上に前記第1の金属膜と接触することなく形成された第2の金属膜とからなり、前記強電体薄膜の第1の金属膜との界面および第2の金属膜との界面のいずれか一方に非晶質層が形成されている容量装置。

IPC (3件)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/30 301 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-315124
  
• 特開平4-051407
  
• 特開平3-038008