半導体パッシベーション用の炭素-ホウリン酸シリカ・ガラス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231152
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251429
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高温や水素雰囲気及び湿度に対して極めて鈍感なフィールド形成用パッシベーション酸化物を、プラズマ化学気相成長法により低温で製造する方法を提供する。【構成】フィールド形成用パッシベーション層はテトラエトキシシラン(TEOS),硼酸トリメチル(TMB)及び燐酸トリメチル(TMP)のガスを高周波プラズマ反応チャンバ内に導入し、プラズマ促進化学気相成長法によって形成される。酸素を少量添加するかまたは全く添加せずにプラズマ反応を行わせる結果、炭素濃度の高い硼燐酸シリーケトガラスが得られ、またP,B及びCが相互反応する結果、段差被覆のような優れた堆積特性や良好な化学的抵抗特性を保持しつゝ、フィールド形成特性を得ることができる。

請求項（抜粋）：

炭素-ホウリン酸シリカ・ガラスを製造する方法において、上記の方法は:チャンバ内の温度が約500°C未満に保持されている反応チャンバを準備する段階;上記の反応チャンバにテトラエトキシシラン(TEOS)を流入させる段階;上記の反応チャンバに有機ホウ酸塩化合物を流入させる段階;上記の反応チャンバに有機リン酸塩化合物を流入させる段階;TEOSの流れに対する酸素の流れの比率がゼロないし1になるように上記の反応チャンバに対する酸素の流れを制限する段階;および上記の反応チャンバ内に高周波プラズマを発生する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

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