特許
J-GLOBAL ID：200903011890561923
シリコンのエッチング方法及びシリコン部材の製造方法並びにエッチングされた単結晶シリコン
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202017
公開番号（公開出願番号）：特開平10-046369
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：
【要約】【課題】 突起や荒れの発生を防止したシリコンのエッチング方法及びシリコン部材の製造方法並びにエッチングされた単結晶シリコンを提供する。【解決手段】 キレート剤を添加したエッチング液を用いてシリコンをエッチングする。この場合はキレート剤が、エッチング液中の金属イオンや溶けたシリコン自体と結合し、これらがエッチング面に付着して突起の原因となるのが未然に防止される。また、ケトン或いはアルデヒドを添加したエッチング液を用いてシリコンをエッチングする。この場合は水素が、ケトンやアルデヒドと反応して消費されることにより気泡の発生が抑制される。
請求項（抜粋）：
シリコンをアルカリ水溶液でエッチングするエッチング方法において、上記アルカリ水溶液にキレート剤を添加したエッチング液でエッチングすることを特徴とするシリコンのエッチング方法。
IPC (3件)：
C23F 1/40
, H01L 21/306
, H01L 21/308
C23F 1/40
, H01L 21/308 B
, H01L 21/306 Z
