半導体基板の処理方法および処理剤

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129039
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335603
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】この発明は、パタ-ン剥がれの発生を防止すると共に、環境中への汚染を抑制する。【構成】処理剤による処理を行う前におけるシリコン基板11の表面上にはH,Oの元素が存在している。シリコン基板11の表面上に図示せぬレジスト層を形成する前に、前記表面を処理する処理剤であって前記表面と接触しても塩基性物質が発生しないシリコン化合物を、気体又は液体の状態でシリコン基板11に接触させて処理する。前記シリコン化合物は、その分子中に少なくとも一つ以上の電気陰性度の大きな元素を含むものであり、また、その分子中に少なくとも一つ以上の酸素を含むものである。次に、前記処理剤は基板11表面から除去される。この後のシリコン基板11の表面は、図1に示すような状態とされる。従って、パタ-ン剥がれの発生を防止できると共に、環境中への汚染を抑制できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上にレジスト層を形成する前に、前記表面を処理する処理剤であって前記表面と接触しても塩基性物質が発生しないシリコン化合物を、気体又は液体の状態で前記半導体基板に接触させて処理することを特徴とする半導体基板の処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/027 , C09K 3/18 104

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭61-198634
特開昭62-215263
特開昭63-015847

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