特許

J-GLOBAL ID：200903011898290457

ソリッドステート周辺記憶装置

発明者： ジュエイ-チ・シュー ,  チン・エス・ジェンク ,  ピン・ワン
出願人/特許権者： シリコン・ストーリッジ・テクノロジー・インク
代理人 (1件)： 山崎 行造 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-308766
公開番号（公開出願番号）：特開平6-214892
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】メモリチップの価格がその歩留り(欠陥の逆)に依存するため一層厳格な無欠陥度を要求すると歩留りが低くなり、チップ当たりの価格が高くなるという問題を解決する。【構成】本ソリッドステート周辺記憶装置はコンピューターから論理セクタ番号(LSN)アドレスを受信して物理的セクタ番号(PSN)データにマッピングする。PSNデータアドレスメモリユニットはソリッドステート浮遊ゲート記憶セルからなる。また、マイクロシーケンサーがPSNへのLSNのマッピングの変換オペレーションを制御する。PSNへのLSNのマッピングを利用するが、ユーザーが関与することなくすべて自動的にメモリユニット内の欠陥セクタはマッピングから除かれ、新鮮な未使用の無欠陥セクタで置換することができる。最後に、上記マイクロシーケンサーは本周辺装置の信頼性を高めるためのエラー回復ルーチンを有する。

請求項（抜粋）：

第一アドレスを与えるコンピューターのインターフェースをなすソリッドステート記憶装置であって、該第一アドレス信号を第二アドレス信号に変換する装置と、複数の浮遊ゲート記憶セルを含む、データ信号記憶用のメモリ装置と、該コンピューターから記憶するためのデータ信号を該メモリ装置に入力するため、あるいはデータ信号を該メモリ装置から取り出して該コンピューターに与えるため、該第二アドレス信号を使って該メモリ装置のアドレス指定をする装置と、該第二アドレス信号で指定される該メモリ装置内該浮遊ゲート記憶セルが欠陥であるときは、該第一アドレス信号を第三アドレス信号に変換するように該変換装置を変更する装置とを含むソリッドステート記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ディスク装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-197186   出願人：三菱電機株式会社
• 特開昭63-238649