特許

J-GLOBAL ID：200903011898338280

加速度センサーおよびその製造方法

発明者： 長田 俊彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-213308
公開番号（公開出願番号）：特開平5-119056
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、シリコン等の半導体材料によって形成される加速度センサーに関し、完熟した半導体精密加工技術を適用することができ、加工精度が高い加速度センサーを提供することを目的とする。【構成】 加速度によって変位する加速度感知質量部13と、弾性変形する歪み感知部12と、この加速度感知質量部13が過剰加速度に応答して過大に変位して破損するのを防ぐために加速度感知質量部13の移動を制限する機構14が半導体材料によって一体に形成され、かつ、この加速度感知質量部13の移動を制限する機構14が、この加速度感知質量部13と歪み感知部12を形成する工程によって構成されている。この場合、加速度感知質量部13の移動を制限する機構14を、SOI基板を構成する第1基板19の先端と、第2基板20の凸部141 、142 、143 との間の間隔を有する嵌合機構によって構成されている。

請求項（抜粋）：

加速度感知質量部と、弾性変形する歪み感知部と、該加速度感知質量部が過剰加速度に応答して過大に変位して破損するのを防ぐために加速度感知質量の移動を制限する機構が半導体材料によって一体に形成され、かつ、該加速度感知質量の移動を制限する機構が、該加速度感知質量部と歪み感知部を形成する工程によって形成されてなることを特徴とする加速度センサー。

IPC (2件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84