特許

J-GLOBAL ID：200903011899208649

基板処理装置

発明者： 佐藤 聖信
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-027784
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229425
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 プラズマにより活性化されたガスを活性な状態のまま、より多く反応管内の基板に到達させることを可能とする。【解決手段】 基板処理装置は、ウェーハWを処理する基板処理領域を形成する反応管30と、反応管30を支持する炉口フランジ4と、炉口フランジ4に設けられて反応管4内にガスを供給するガス供給管7と、プラズマを生成するプラズマ生成手段32とを備える。プラズマ生成手段32は、放電用のリング状電極12で構成して、炉口フランジ4の内周壁に設けられる。このプラズマ生成手段32は、プラズマによる活性化を必要とするガスを供給するガス供給管7の近傍の炉口フランジ4に設け、炉口フランジ内にプラズマ生成領域26を形成する。プラズマ生成領域26と基板処理領域24との間のプラズマを制御するプラズマ制御手段11を設ける。

請求項（抜粋）：

基板を処理する反応管と、前記反応管を支持する炉口フランジと、前記炉口フランジに設けられ、前記炉口フランジを介して前記反応管内にガスを供給するガス供給管と、プラズマを生成するプラズマ生成手段とを備え、前記プラズマ生成手段を前記炉口フランジのガス供給管の近傍に設けて、前記ガス供給管から前記反応管内に供給されるガスを、前記プラズマ生成手段により生成したプラズマにより活性化可能に構成したことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/452

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/452

Fターム (26件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030KA30 ,  5F045AA04 ,  5F045AA16 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045BB07 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EH04 ,  5F045EK06