特許
J-GLOBAL ID：200903011899341683
圧力勾配CVI/CVD装置、方法および製品
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-312778
公開番号（公開出願番号）：特開2006-118716
出願日： 2005年10月27日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】飛行機ブレーキディスクに用いられる多数の多孔質構造物を急速にかつ均一に緻密化するCVI/CVD加工法及び加工装置を提供する。【解決手段】多孔質構造物22の第1の部分86が多孔質構造物22の第2の部分88より大きな圧力が掛けられ、その第1部分86が第2部分88よりも大きな高密度量を有する圧力勾配CVI/CVD法を用いて、多孔質構造物22の内部に第1マトリックスを析出ことによってCVI/CVD加熱炉10の内部において多孔質構造物22を部分的に緻密化する、そして、第2部分88が第1部分86よりも大きな高密度量を有する少なくとも1つの付加的緻密化工程を用いることによって、多孔質構造物22の内部に第2マトリックスを析出することによって、多孔質構造物22を引き続いて緻密化するという工程を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
この環状多孔質構造内に析出された第1炭素マトリックスと、該第1炭素マトリックス上に重なって、該環状多孔質構造内に析出された第2炭素マトリックスとを持つ緻密化された環状の多孔質構造、該緻密化された環状の多孔質構造は、内部円周面および該内部円周面から空間を持って離れ、そしてそれを取り巻いている外部円周面とによって結合された2つの一般に平行な平坦面を有し、該内部円周面に隣接する第1境界部分および該外部円周面に隣接する第2境界部分からなり、ここで該第1および第2境界部分は該2つの一般に平行な平坦面によって制限されており、該第2境界部分は該第1境界部分に対して単位容積当り該第1炭素マトリックスの少なくとも10%以下を有し、該第1炭素マトリックスと該第2炭素マトリックスは実質的に粗い積層ミクロ構造を有し、そして該第1炭素マトリックスは該第2炭素マトリックスよりも炭素化が進んでいる、摩擦ディスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
F16D65/12 E
, C23C16/26
, F16D65/12 M
3J058AA53
, 3J058AA57
, 3J058AA62
, 3J058AA87
, 3J058BA32
, 3J058BA61
, 3J058CB11
, 3J058EA14
, 3J058EA17
, 3J058EA28
, 3J058FA24
, 4K030BA27
, 4K030BB13
, 4K030CA08
, 4K030CA11
, 4K030DA09
, 4K030FA10
, 4K030GA01
, 4K030HA01
