特許
J-GLOBAL ID：200903011909787170
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-013142
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204450
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】半導体集積回路に内蔵される発振回路において、通常動作時の低消費電力化および高調波ノイズ放射の低減化を図る。【構成】発振回路11の発振起動から発振安定までの期間をパルス幅に含む起動制御信号により発振回路11に供給する動作電源電圧をより低い電圧に切り換える切換手段132を有する定電圧発生回路13と、この定電圧発生回路13が供給する動作電源電圧に応じて変動する発振回路11の出力振幅を論理回路部12の論理振幅にレベル変換するレベル変換回路14を備える。
請求項（抜粋）：
発振子接続端子をもつ発振回路と、この発振回路の出力信号に同期して動作する論理回路部と、電源電圧から前記発振回路の電源電圧として定電圧を発生する定電圧発生回路とを有する半導体集積回路において、前記定電圧発生回路は前記定電圧値を前記論理回路部の動作中に切り換える切換手段を有し、前記定電圧発生回路の出力電圧に応じて変動する前記発振回路の出力振幅を前記論理回路部の論理振幅にレベル変換するレベル変換回路を備えることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件)：
H03B 5/32
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H03B 5/06
