特許

J-GLOBAL ID：200903011912711150

位相シフトマスクの製造方法

発明者： 横川 直博
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046002
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217877
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 電子線描画のときの電荷蓄積を防止するために設けた導電性薄膜を、電子線レジストパターンに欠陥が発生することを防止して除去する。これにより、所望のパターンに忠実な位相シフト膜部を形成する。【構成】 遮光膜パターン6を設けた位相シフト層3の上面に、MoSi膜7及び電子線レジスト層8を順次形成する。この状態で、MoSi膜7を通して電子線レジスト層に電子線を描画し、MoSi膜7及び位相シフト層3の不要部分をドライエッチングして、位相シフト膜部を形成する。

請求項（抜粋）：

透明基板上に、エッチング停止層、位相シフト層、金属シリサイド層、及び電子線レジスト層を順次、成膜する成膜工程と、前記電子線レジスト層に所定のパターンに沿って電子線描画を施し、その後、現像することにより電子線レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記電子線レジストパターンに従って、金属シリサイド層及び位相シフト層を選択的にエッチングして位相シフトパターンを形成する位相シフトパターン形成工程と、前記位相シフトパターンの位相シフト膜部上の、残存電子線レジスト膜部及び残存金属シリサイド膜部を除去する除去工程と、を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08

FI (2件)：

H01L 21/30 341 P ,  H01L 21/30 301 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭49-047505
  
• 特開昭52-118821