特許

J-GLOBAL ID：200903011914405693

ナノインプリント方法

発明者： 喜々津 哲 ,  稗田 泰之 ,  鎌田 芳幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-359374
公開番号（公開出願番号）：特開2005-122853
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】ナノメートルサイズのパターンをドーナツ状基板に一度に、かつ安価にプリントでき、さらにパターンエラーを抑制できるナノインプリント方法を提供する。【解決手段】中心部に孔を有する円形基板の上に加工層を堆積する工程と、前記加工層上にマスク層を堆積する工程と、前記円形基板と同心円状に形成された凸部を有する原盤を前記マスク層に押し付けて凹部を形成する工程であって、前記マスク層に形成される凹部の底から前記加工層表面までの距離dが、前記円形基板の内周側から外周側に向かって増加もしくは減少、または前記円形基板の外周側および内周側から中周部に向かって減少するように前記マスク層に凹部を形成する工程と、前記原盤を前記マスク層から離す工程と、エッチングを行い、前記マスク層の凹部を含むパターンを前記加工層へ転写する工程とを具備することを特徴とするナノインプリント方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

中心部に孔を有する円形基板の上に加工層を堆積する工程と、 前記加工層上にマスク層を堆積する工程と、 前記円形基板と同心円状に形成された凸部を有する原盤を前記マスク層に押し付けて凹部を形成する工程であって、前記マスク層に形成される凹部の底から前記加工層表面までの距離dが、前記円形基板の内周側から外周側に向かって増加もしくは減少、または前記円形基板の外周側および内周側から中周部に向かって減少するように前記マスク層に凹部を形成する工程と、 前記原盤を前記マスク層から離す工程と、 エッチングを行い、前記マスク層の凹部を含むパターンを前記加工層へ転写する工程と を具備することを特徴とするナノインプリント方法。

IPC (1件)：

G11B5/855

FI (1件)：

G11B5/855

Fターム (8件)：

5D112AA05 ,  5D112AA16 ,  5D112AA19 ,  5D112AA20 ,  5D112GA02 ,  5D112GA12 ,  5D112GA20 ,  5D112GB07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5,772,905号明細書
  
• 米国特許第5,956,216号明細書
  

審査官引用 (3件)

• 磁気デイスクおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-269508   出願人：日立マクセル株式会社
• 加工方法、磁気転写方法及び記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-358062   出願人：株式会社東芝
• 記録媒体、記録媒体の原盤作成方法、及び記録媒体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-153462   出願人：三洋電機株式会社