特許
J-GLOBAL ID：200903011917182199

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
田中 正幸

田中 正幸 について

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中嶋 一明

中嶋 一明 について

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綱島 祥隆

綱島 祥隆 について

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伊藤 貴之

伊藤 貴之 について

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須黒 恭一

須黒 恭一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-312015
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118078
出願日： 2000年10月12日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 短時間に多量の光子を半導体基板に照射して、シリコン半導体基板と配線を接続するコンタクト及びシリサイド層、シリコン窒化膜などの半導体基板に形成された成膜を改質する。【解決手段】 微細コンタクト形成時、W膜108などのコンタクト配線が埋め込まれるコンタクト孔内部にSiN膜109を成膜し、600°C以下の温度で加熱しながら10msec以下の短時間でシリコンの光の吸収端よりも短波長側に主たる発光波長を有する光で加熱処理を行う。TiN膜と半導体基板100界面との反応を起こさせて自然酸化膜を還元する。短期間の熱処理のため拡散層の不純物プロファイルに影響を与えない。また、ポリシリコンゲート上のSiN膜を波長200nm以上の白色光を10msec以内、10〜100J/cm2 のエネルギーで少なくとも1回照射する。この熱処理により含有していた水素が除去されてボロンの突き抜けなどのない素子の劣化が防止される。
請求項（抜粋）：
半導体素子が形成され、表面にシリサイド層が形成されたシリコン半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングして底面に前記半導体基板表面に形成された前記シリサイド層が露出したコンタクト孔を形成する工程と、前記コンタクト孔の底面及び側面に金属窒化膜を成膜する工程と、前記半導体基板を600°C以下の温度で第1の加熱処理を施す工程と、前記第1の加熱処理を施す工程中に10msec以下の短時間、且つシリコンの光の吸収端よりも短波長側に主たる発光波長を有する光によって第2の加熱処理を行う工程と、前記第2の加熱処理を行う工程後、前記コンタクト孔のコンタクト配線を形成する工程と、前記絶縁膜上に前記コンタクト配線を介して前記半導体基板と電気的に接続された配線を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (15件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (12件)：
H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/28 301 D ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 371
Fターム (128件)：
4K030BA10 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA19 ,  4K030BA22 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030DA09 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD84 ,  4M104EE05 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  4M104HH04 ,  4M104HH15 ,  5F001AA08 ,  5F001AA23 ,  5F001AA25 ,  5F001AA43 ,  5F001AA62 ,  5F001AA63 ,  5F001AB02 ,  5F001AG07 ,  5F033HH04 ,  5F033HH25 ,  5F033HH26 ,  5F033HH28 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033KK26 ,  5F033KK27 ,  5F033MM07 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX09 ,  5F033XX28 ,  5F033XX31 ,  5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EF02 ,  5F040EH01 ,  5F040EH02 ,  5F040EK05 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FA10 ,  5F040FB02 ,  5F040FB04 ,  5F040FC00 ,  5F040FC19 ,  5F083AD01 ,  5F083EP04 ,  5F083EP05 ,  5F083EP08 ,  5F083EP22 ,  5F083EP27 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F101BA05 ,  5F101BA07 ,  5F101BA23 ,  5F101BA29 ,  5F101BA35 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BH19
引用特許：
審査官引用 (4件)
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