特許
J-GLOBAL ID：200903011922095903

単結晶銅ターゲットおよびその製造法とそれを用いた半導体内部配線

発明者：
西野 勇

西野 勇 について

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永田 長寿

永田 長寿 について

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藤原 諭

藤原 諭 について


出願人/特許権者：
同和鉱業株式会社

同和鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-181361
公開番号（公開出願番号）：特開平10-008244
出願日： 1996年06月21日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：
【要約】【目的】 Si基板上に成膜配線して半導体素子を形成することにより銅の利点である耐EM性や耐SM性を十分に生かして高度耐腐食性の微細化配線を持つ半導体素子を製造することができる高純度単結晶銅とその製造方法、更に得られた単結晶銅からなるスパッタリングターゲットおよび同ターゲットを用いて成膜した配線を有する半導体素子を提供すること。【構成】 銀と硫黄の合計含有量が0.1ppm 以下である純度99.9999wt%以上の高純度銅を出発原料として用い、これを電気炉1内に配置した原料るつぼ5内に入れて溶解し、るつぼ底部の溶解滴下孔4から下方の単結晶鋳型6に溶解銅を滴下する。この間上部、中部、下部ヒーター10、11、12により温度を調節し、石英外筒3内を真空排気装置2により排気する。炉底部には断熱トラップ8がありその外側に冷却水9が貫流する水冷フランジ配置されている。この装置の単結晶鋳型内に半導体素子の配線形成用ターゲット材として好適な高純度単結晶銅が得られる。
請求項（抜粋）：
純度99.9999wt%以上の単結晶銅からなるスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C22C 9/00 ,  C30B 29/02
FI (3件)：
C23C 14/34 A ,  C22C 9/00 ,  C30B 29/02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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