特許
J-GLOBAL ID：200903011925379376
半導体シリコンウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-356711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196459
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 水素雰囲気又は水素含有雰囲気下での熱処理後に問題となる表面清浄度の劣下、表面ラフネスの悪化及び表面近傍領域のドーパント濃度低下を熱処理後、再度鏡面加工を施すことなく解決できる半導体シリコン基板の製造方法の提供。【構成】 水素雰囲気または水素を含む雰囲気下での半導体基板を熱処理する方法において、半導体基板をエッチングできるガス、例えば、塩化水素等のハロゲン化物を当該熱処理中、または当該熱処理後の別途熱処理中に導入してエッチング処理を行うことを特徴とし、被熱処理半導体表面近傍のドーパント低下領域幅に応じて、所望のエッチング処理を行うことができ、表面パーティクルの低減化、及び表面ラフネスを向上させることができる。
請求項（抜粋）：
水素雰囲気下または水素を含む雰囲気下で、シリコンウェーハに施す高温熱処理後に引き続いて、エッチングガスによる該ウェーハの表面エッチングを行うことを特徴とする半導体シリコンウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/302
, H01L 21/324
