特許
J-GLOBAL ID：200903011926633918
二次イオン質量分析法における定量分析方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-320542
公開番号（公開出願番号）：特開2001-141676
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 二次イオン質量分析法によりSiO2中の微量不純物を定量する際に、SiO2試料に対するチャージアップ補正条件の設定を容易化し、再現性の良い不純物濃度測定を可能にすることを目的とする。【解決手段】 Si基板1上に成長したPSG膜2中にNa3が一定量イオン注入された第1の標準試料と、Si基板1上に成長したSiO2膜4中にNa3が前記イオン注入と同一の条件でイオン注入された第2の標準試料を一対として深さプロファイル測定を行い(401,402)、両者のNaイオンの深さプロファイルが一致するように、一次イオンビームの電流密度、電子ビーム照射量などのチャージアップ補正条件を調整(402)した後、Naの相対感度係数を決定し(403)、Na濃度未知試料の深さプロファイル測定を実行(404)して、未知試料のNa濃度を求める(405)。
請求項（抜粋）：
二次イオン質量分析法を用いた定量分析方法において、基板上に成長したPSG膜中に可動イオンがイオン注入された第1の標準試料と、基板上に成長したSiO2膜中に前記可動イオンが前記イオン注入と同一の加速電圧および同一のイオン注入量でイオン注入された第2の標準試料を用いて、前記第2の標準試料中の前記可動イオンの深さプロファイルが前記第1の標準試料中の前記可動イオンの深さプロファイルに一致するように二次イオン質量分析の一次イオンビームの電流密度、電子ビーム照射量を調整する工程と、前記調整された一次イオンビームの電流密度、電子ビーム照射量を用いて未知試料のSiO2膜中の可動イオン濃度を測定する工程を有することを特徴とする定量分析方法。
Fターム (21件)：
2G001AA03
, 2G001AA05
, 2G001BA06
, 2G001CA05
, 2G001FA02
, 2G001GA06
, 2G001GA08
, 2G001GA11
, 2G001GA19
, 2G001JA11
, 2G001KA01
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001NA03
, 2G001NA05
, 2G001NA07
, 2G001NA09
, 2G001NA15
, 2G001RA03
, 2G001RA10
, 2G001RA20
