特許

J-GLOBAL ID：200903011932606850

回路モジュールの製造方法及び回路モジュール

発明者： 島村 雅哉 ,  湯浅 穂 ,  甲斐 岳彦
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-238242
公開番号（公開出願番号）：特開2008-042152
出願日： 2006年08月07日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

【課題】 端面において基板とシールド層との境界に隙間が生じない回路モジュールの提供。【解決手段】 基板11上に複数の部品13を配置する工程と、各部品を被覆する絶縁層15を形成する工程と、絶縁層を被覆する導電性樹脂からなるシールド層17を形成する工程と、シールド層が形成された基板を分割する工程と、を備え、シールド層17を形成する前に予め深さ方向の基端部16bの幅W1に比べて先端部16aの幅W2が小さい切り溝16を少なくとも絶縁層15に形成し、少なくとも切り溝内に充填されるように導電性樹脂を塗布してシールド層を形成した後、切り溝の先端部に沿って先端部の幅より大きく基端部の幅より小さい幅W3で切削して基板を分割する。これにより、回路モジュールの端面において、絶縁層を覆うシールド層の縁部の下端とこれに対向する切り溝の内面とが密着して、外部からの電磁界や静電気の影響を受け難い回路モジュールを提供することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に複数の部品を配置する工程と、前記各部品を被覆する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を被覆する導電性樹脂からなるシールド層を形成する工程と、前記シールド層が形成された基板を分割する工程と、を有する回路モジュールの製造方法において、 前記絶縁層を被覆するシールド層を形成する前に予め深さ方向の基端部の幅W1に比べて先端部の幅W2が小さい切り溝を少なくとも前記絶縁層に形成し、少なくとも前記切り溝内に充填されるように導電性樹脂を塗布してシールド層を形成した後、前記切り溝の先端部に沿って前記先端部の幅W2より大きく前記基端部の幅W1より小さい幅W3で切削して前記基板を分割することを特徴とする回路モジュールの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L21/56 E ,  H01L23/00 C ,  H01L23/30 B

Fターム (13件)：

4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109CA12 ,  4M109DB15 ,  4M109EC07 ,  4M109EE07 ,  4M109GA02 ,  5F061AA02 ,  5F061BA04 ,  5F061CA12 ,  5F061CB07 ,  5F061CB12 ,  5F061FA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 回路モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-333079   出願人：太陽誘電株式会社

審査官引用 (1件)

• 回路モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-333079   出願人：太陽誘電株式会社