特許

J-GLOBAL ID：200903011936057591

炭化珪素単結晶の製造方法およびそれに用いる種結晶

発明者： 大谷 昇 ,  高橋 淳 ,  勝野 正和 ,  矢代 弘克 ,  金谷 正敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-202164
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045499
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：

【要約】【課題】 低欠陥、大口径の単結晶炭化珪素ウエハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法において、錐型で、中心軸方向が<0001>方向から±10度以内にあり、頂角が20度以上90度以内にあり、望ましくは、中心軸方向が<0001>方向から±5度以内にあり、頂角が20度以上60度以内にある種結晶を用いる。

請求項（抜粋）：

種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、錐型の炭化珪素単結晶を上記種結晶として用い、その際、中心軸方向が<0001>方向から±10度以内にあり、頂角が20度以上90度以内にあることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018272   出願人：株式会社東芝
• SiC単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-042708   出願人：新日本製鐵株式会社
• n型炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-293268   出願人：シャープ株式会社