特許
J-GLOBAL ID:200903011936473706
プラズマ処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
金丸 章一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-015335
公開番号(公開出願番号):特開平5-326415
出願日: 1992年01月30日
公開日(公表日): 1993年12月10日
要約:
【要約】【目的】 平行に対向配置された対の永久磁石により真空容器内に電子サイクロトン共鳴条件を成立させるプラズマ処理装置において、対の永久磁石が形成する磁界の磁力線をより広範囲にわたって平行に直進させ、試料面に平行なECR面を形成すると共に、そのECRプラズマにより発生したイオン、ラジカル等を均一で異方性の高いものとして、大面積の均一処理を行う。【構成】 下側の磁石(6')との間の電極(3) の直下に、軟質磁性材からなり、外郭形状をリング状に形成されると共に、その中心軸線を経る各縦断面を外周部から中心に向けて同心状に断続して減厚させた階段状の断面形状に形成されたヨーク(8) を、対の磁石(6),(6')と平行に配置する。【効果】 ヨークによって、対の永久磁石が作る磁界の外周部において外方に湾曲する磁力線を内方に向けて偏向・収斂させて平行に直進させることができる。
請求項(抜粋):
内部に試料を収納すると共に処理ガスを導入する真空容器と、この真空容器内に収納された試料を載置すると共に高周波電圧を印下する電極と、互いの磁極を平行に対向させて真空容器の上下側に配置され、真空容器内の試料表面に垂直に磁力線が交わるように磁界を形成する対の磁石と、マイクロ波を真空容器内に導入するマイクロ波導入手段とを備えてなり、真空容器内に電子サイクロトン共鳴条件を成立させて処理ガスをプラズマ化することにより、試料にCVD、エッチング、スパッタリング等のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、下側の磁石との間の電極の直下に、磁性材からなり、外郭形状を円盤状ないしはリング状に形成されると共に、その中心軸線を経る各縦断面を外周部から中心に向けて連続ないしは階段状に断続して同心状に減厚させた断面形状に形成されたヨークを、対の磁石と平行に配置してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/205
, H01L 21/203
, H01L 21/302
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