特許
J-GLOBAL ID：200903011940443285
半導体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-091376
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297205
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 ガス流量の制御が簡単で、かつ短時間に傾斜型SiGe混晶薄膜を形成できる半導体薄膜形成方法を提供する。【構成】 成膜形成開始時から成膜形成終了時までの期間をSiGe混晶薄膜形成期間(期間II)とするとき、成膜形成開始時の温度(成膜開始温度)を、成膜形成終了時の温度(成膜終了温度)より低くし、かつ成膜開始温度と成膜終了温度間に温度傾斜を設ける。更に、成膜開始温度の流量比を成膜終了温度の流量比よりも大きくし、かつ成膜形成開始時から成膜形成終了時へ時間が移行するとともに、流量比を順次小さくする。
請求項（抜粋）：
CVD法を用いて下地上にSiGe混晶薄膜を形成するにあたり、成膜形成開始時から成膜形成終了時までの期間をSiGe混晶薄膜形成期間とし、該期間の成膜形成開始時の温度(成膜開始温度と称す。)を、成膜形成終了時の温度(成膜終了温度と称す。)より低くし、かつ前記成膜開始温度と前記成膜終了温度間に温度傾斜を設け、前記成膜開始温度のシリコン(Si)含有のIV族系水素ガスの流量に対するゲルマニウム(Ge)含有のIV族系水素ガスの流量(流量比という。)を前記成膜終了温度の流量比より大きくし、かつ前記成膜形成開始時から前記成膜形成終了時へ時間が移行すると共に、前記流量比を順次小さくすることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, C23C 16/42
, H01L 21/205
, H01L 29/205
