特許

J-GLOBAL ID：200903011943938536

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 兼山 直樹 ,  浅井 誠 ,  沢崎 勝久
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090718
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286447
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 p型コンタクト層を改良し、高光度の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 膜厚約230ÅのMQW活性層160の上には、膜厚約140ÅのGaN から成るキャップ層107、及びMgドープのp型Alx Ga1-x N(x=0.12)から成る膜厚約200Åのp型クラッド層108が形成され、更に、Mgドープのp型Aly Ga1-y N(y=0.05)から成る膜厚約600Åのp型コンタクト層109が形成されている。これらの組成比x,yは、式「0.03≦0.3x≦y≦0.5x≦0.08」を満たす様に構成され、p型コンタクト層の組成が、p型クラッド層の組成に従来よりも近いものとなった。よって、この2層間での結晶の格子定数の差が小さくなり、p型コンタクト層が良質に成長する様になった。また、この2層間での熱膨張係数の差が比較的小さくなり、発光素子内に残留する応力が小さくなった。これらの作用により、本発光素子100の発光光度が向上した。

請求項（抜粋）：

III族窒化物系化合物半導体から成る層が基板上に積層され、p型のAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x<1)より成るp型クラッド層を有する半導体発光素子において、前記p型クラッド層よりもアルミニウム(Al)組成比の低い、p型のAl<SB>y </SB>Ga<SB></SB><SB>1-y </SB>N(0<y<x)より成るp型コンタクト層を有することを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673

Fターム (20件)：

5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA07 ,  5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-342124   出願人：三菱電線工業株式会社
• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-118314   出願人：昭和電工株式会社