特許
J-GLOBAL ID：200903011945265679
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-277623
公開番号（公開出願番号）：特開平10-126001
出願日： 1996年10月21日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 良好な選択エッチングと、選択成長用のマスクによるストレスの少ない選択成長とを行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 第1の絶縁膜4aと,第2の絶縁膜6とが積層されてなるマスクを用いて上クラッド層3の表面から下クラッド層1に達する深さまでウエットエッチングを行うとともに、第2の絶縁膜6のみをバッファードフッ酸を用いて選択的に除去した後、第1の絶縁膜4aのみをマスクとして、エッチングにより露出した面にInP電流ブロック層8を選択成長させるようにした。
請求項（抜粋）：
少なくとも1層以上のIII-V族化合物半導体層からなる半導体層構造上に、絶縁膜からなる第1のマスクと、該第1のマスク上に配置された該第1のマスクに対して選択的に除去可能な材料からなる第2のマスクとからなる、所定の平面形状を有する2層構造のマスクを形成する工程と、該2層構造のマスクを用いて、上記半導体層構造を選択的にエッチングする工程と、上記第2のマスクを、上記第1のマスクに対して選択的に除去する工程と、上記第1のマスクを用いて、上記選択エッチングにより露出したエッチング面上に、半導体層を選択的に結晶成長させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 3/18
, H01L 21/306 B
