特許
J-GLOBAL ID：200903011946260832
複合型半導体メモリモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079785
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295581
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 一つのメモリモジュール内に混在させたRAMセルとROMセルとの配列数の割合に無関係に、ROMセルとRAMセルとを同一速度でアクセスできる高速の複合型半導体メモリモジュールを提供する。【構成】 メモリアレイ108と、読書き用の周辺制御回路部101〜107とがRAM機能をベースに構成され、メモリアレイ108に電気的特性が同等でワード線から見た負荷値の等しいROMセル1081とRAMセル1082とを混在させる。【効果】 一つの複合型半導体メモリモジュールがアクセス性能の等しいRAM機能とROM機能との両方を果たすことができる。
請求項（抜粋）：
ワード線と相補データ線とを有するMOSメモリセルが複数個配列されたメモリアレイと、RAMとしての読書き動作に必要な制御回路とを含む複合型半導体メモリモジュールにおいて、前記メモリアレイが、RAMセルと、ワード線の負荷値と相補データ線を駆動するメモリセル電流とが前記RAMセルと同等のROMセルとからなり、前記制御回路が、前記RAMセルと前記ROMセルとを前記RAMセルの読出し速度で読出す制御回路を含むことを特徴とする複合型半導体メモリモジュール。
IPC (6件)：
G11C 7/00 311
, G11C 11/413
, G11C 17/18
, H01L 27/10 421
, H01L 27/10 495
, G11C 14/00
G11C 11/34 301 A
, G11C 17/00 306 B
, G11C 11/40 101
