特許
J-GLOBAL ID：200903011947336042

PI3装置および方法

発明者：
テリー・ティエンユー・シェング

テリー・ティエンユー・シェング について


出願人/特許権者：
バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド

バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-111691
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326318
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 従来技術のPI3の汚染および粒子の問題を解消し、同時にどの薄い誘電体も破壊することなく浅い接合注入を高い生産率で行う方法および装置を提供する。【構成】 連続プラズマを用いない、コールド陰極プラズマイマーションイオン注入(C2PI3)のための注入装置および方法は、非常に短い高電圧で低動作周期のイオン化パルスを利用し、正に帯電したウェーハ表面を中性化するために同期して生成された電子流も合わせて利用する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハにイオンを注入するプラズマエイマーションイオン注入(PI3)方法であって、イオン化可能なガスを含む、低圧のチェンバー内の第1の電極上に前記ウェーハを支持する工程と、第1の短い持続期間の高電圧パルスを前記第1の電極に与え、少なくとも前記ウェーハの極近傍で前記各パルスに応答して短い持続期間のコールド陰極プラズマを誘導する工程と、から成り、前記第1のパルス持続間隔が、前記ガスのコールド陰極イオン化を開始し、かつ前記極近傍の前記プラズマから前記ウェーハに向けて正のイオンを加速するのに十分長く、前記イオンとチェンバーおよびウェーハ材との間の、実質的な数の大きな粒子を形成する反応時間に対し十分に短い、ところの方法。
IPC (4件)：
H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 27/02 ,  H01L 21/265
FI (2件)：
H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 N
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM