特許
J-GLOBAL ID：200903011947557790
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252593
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104437
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板のTFTのゲート電極を下層に純Al、上層に陽極酸化可能な不純物を含むAlである2層構造を用いて形成することにより、抵抗を増加させることなくAlのヒロックを防止し、低リーク電流の陽極酸化膜の形成を可能にしてゲート電極とソース電極との短絡不良を抑制する。【構成】 ガラス基板11上にSiを添加したアルミニウム12aおよび2at%のTaを含むアルミニウム12bよりなるゲート電極を形成し、ゲート電極を被覆するように陽極酸化法により酸化アルミニウムゲート絶縁層13を形成し、非晶質シリコン半導体層15が窒化シリコンゲート絶縁膜14を介して形成し、液晶に電圧を印加する透明表示電極18を形成し、チタンおよびアルミニウムよりなるソース、ドレイン電極7a、7bがリンを含む非晶質シリコン半導体層6a、6bを介して形成し、ドレイン電極7bを透明表示電極18に接続する。
請求項（抜粋）：
基板の一主面上に下層がシリコンまたは銅あるいはその両方を添加したアルミニウムからなり、上層が陽極酸化可能な高融点金属を不純物として添加したアルミニウムからなる2層構造を有する第1の導電体層が選択的に形成され、前記第1の導電体層の表面に陽極酸化により酸化膜が形成され、絶縁薄膜層を介してシリコンを主成分とする第1の非単結晶半導体層が前記第1の導電体層と一部重なるように選択的に形成され、第2の導電体層がリンを含むシリコンを主成分とする第2の非単結晶半導体層を介して前記第1の非単結晶半導体層と一部重なるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
