特許
J-GLOBAL ID:200903011950976966

セラミック多層基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-109482
公開番号(公開出願番号):特開平5-304363
出願日: 1992年04月28日
公開日(公表日): 1993年11月16日
要約:
【要約】【目的】 電気機器の小型化の有力な手段である高密度実装を実現するためのセラミック多層基板の製造方法において、積層時に起こる転写不良を解決し、量産性に優れ、製造原価の低いセラミック多層基板の製造方法を提供する。【構成】 転写シート12の製造時に、ベースフィルム1上に形成された配線パターン2の上に第1の絶縁層3を印刷した後、第2の絶縁層5以降の印刷を順次広いパターンで行い、第1の絶縁層3に生じたエッジ部分4の盛り上がりを減少させるかもしくは消滅させた転写シート12を得る。この転写シート12を耐熱性基板上に加熱転写して積層する。【効果】 エッジ部分の処理工程が不要となり、量産性が高くなる。
請求項(抜粋):
ベースフィルム上に導電体ペーストを印刷し、乾燥して配線パターンを形成した後、それを覆うように絶縁体ペーストを印刷し、乾燥し、さらに前記絶縁体パターンより大きいパターンで、そのエッジ部分を覆うように絶縁体ペーストを印刷し、乾燥してなる転写シートを、耐熱性の基板上に加熱転写して積層することを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。

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